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2026-04-09 09:03

SK海力士加速推进1c制程DRAM量产:良率提升至80%,超50%产线将在今年完成切换

SK海力士正加速推进10纳米第六代(1c)DRAM技术,大幅增加极紫外(EUV)设备投入,投资额约为原计划的三倍。该公司正全力开发该技术,用于新一代第七代高带宽内存HBM4E的核心芯片,并计划今年内向...

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